Този сайт използва бисквитки (cookies). Ако желаете можете да научите повече тукПриемам
22 октомври 2017
Категории
  •  Космос
  •  Физика
  •  Науки за земята
  •  Биология
  •  Медицина
  •  Говорят медиците
  •  Математика
  •  Научни дискусии
  •  Разни
FACEBOOK

Академик Попов: Материалът на 21-ви век е А3В5

| ПОСЛЕДНА ПРОМЯНА 30 септември 2017 в 13:5429280
През 2017 година акад. проф. дфзн Ангел Попов приема наградата "почетен знак на Габрово" от кмета на града. Снимка: Любезно предоставена от акад.Попов

Наскоро академик Ангел Попов представи новата си монографична книга, издадена на английски език, със заглавие: „Functional semiconductor structures with heterostructural transition regions“ („Функционални полупроводникови структури структури с хетеропреходни съгласуващи области“). Тя отбелязва и неговия 75-годишен юбилей, както и неговата богата и уникална научна дейност.

Пред НаукаOFFNews академик Ангел Попов заяви, че е доволен от научната си кариера: "Цял живот, повече от 50 години, съм се занимавал с това, на което съм се посветил - образование, наука и развитие - и намерих удовлетворение, реализирах се от най-ниското стъпало до най-високото".

И ако материалът на 20-ти век бе силицият, заради който се осъществи невероятният прогрес в електрониката, то материалът на 21-ви век ще са материалите, върху които работи академик Попов, заяви той.

Какви са постиженията на българската наука в областта на полупроводниците и светодиодите?

Преди няколко месеца в България бе на посещение Хироши Амано, който получи Нобелова награда през 2014 г. по физика за създаване на син светодиод, използвайки галиев нитрид, обогатен с алуминий и индий.

"Ние започнахме да произвеждаме светодиоди още преди 40 години в България, само че с друг цвят и на други съединения, но пак А3В5. Технологиите ни не бяха толкова съвършени, но в края на краищата, общият принцип бе налице. Аз говорих след това с един от колегите, който е бил съавтор на Амано, защо не е съобщил, че в България са правени такива научни разработки? Самият той създаде първите светодиоди с инфрачервена светлина. А в областта на видимия спектър аз с мои сътрудници направихме червени, оранжеви, жълти, зелени светодиоди и т.н."

Защо не сте публикували?

Откровено казано, 10 години след разработките нямахме право, това бяха ембаргови изследвания и ембаргови прибори. Академичният съвет даваше специални разрешения за публикуване. И действително, независимо че изследванията започнаха 68-ма година, първата публикация излезе 76-та година и то върху изследванията, а не по технологични проблеми. И досега продължава така. За технологии не се говори. Това е табу и всеки си го пази, а се съобщават изследвания. И нашите двама колеги, които участваха в съвместни публикации с Амано са участвали със съответните изследвания. Това все пак е фактът, че са участвали, и е известен принос за българската наука.

През 1972 г., когато бях съвсем млад учен и започвах кариерата си, се срещнах с професор Лео Есаки, който създаде технологиите за тези постижения, и след време, когато пристигна в българия, проф. Лалов ми възложи да отговарям за неговото посещение в България. В своята лекция пред цялата аудитория той съобщи, че ние сме объждали тези неща с него - бъдещият Нобелов лауреат и един млад учен - и то с голям интерес, как могат да се образуват много по-съвършени структури.

Това, което съм събрал тук, съм го събрал благодарение на упорит труд, не само от моя страна, аз винаги съм работил с група сътрудници, с колеги. Ние сме успели да постигнем много неща и тази книга е построена върху 20 публикации в международни списания.

Защо новата Ви книга е на английски?

Защото никой не чете научни статии и монографии, написани на български. За да получиш съответните оценки, които постоянно се менят - доскоро бе личният импакт фактор, но вече е изхвърлен, сега се появи h-индексът (индекс на Хирш), трябва да се публикува в международни списания на английски език.

За да се получи информация за съответния труд, трябва да се прочете, затова аз положих усилия и в чест на 75-годишниния си юбилей, се постарах да направя нещо, което не съм мислил, че мога някога да направя - да напиша монографията на английски език и то така, че не само аз да си я разбирам, а да могат и други да я разберат.

Всички разглеждани структури са получени на подложка с полупроводникови хетероструктури от твърди разтвори от бинарни А3В5 [от елементи от 3-та и 5-та група на периодичната таблица] съединения.

Всичките изследвания на наноструктури с твърд разтвор на индиево-галиев фосфид, индиев фосфид, галиевият арсенид, индиев арсенид, индиев антимонид са направени тук, в България. Това са прословутите „спирачки“ на електронния поток, хетеропреходите, които не му позволяват да премине във външната верига без да осъществи някаква работа. Например това се демонстрира на структури от съединенията на галиево-алуминиев антимонид върху подложки от индиев арсенид.

Правили сме много изчисления, термодинамично моделиране, но вече имаме подход, не да симулираме, а направо да сравним с експерименталните резултати. Вървели сме обратно - създаваме теорията на базата на това, което сме направили вече и след това търсим грешката при нас.

Всичките 20 публикации, върху които е построена книгата, са отпечатани в международни списания с импакт фактор. В тях е трудно да се публикува, защото в реномирано списание със сериозен импакт фактор цената на една страница е от 80 до 100 долара, че и повече. Може и в безплатно списание, но те не се четат. Scopus [библиографска и реферираща база данни и инструмент за проследяване на цитируемостта на статиите, публикувани в научните списания] ще каже, че не съществуват. Ако издаваме на български, ще се срещаме с трудности. Искаме да направим реномирани редица наши интересни списания, да ги направим конвертируеми, но те излизат на български език. И затова водим борба, например специално за списание "Инженерна мисъл", да започнем да публикуваме на английски, за да могат да ни прочетат.

Намериха ли практическо приложение Вашите открития?

Да, първите образци на българска ЕЛКА бяха с мои светлинни индикатори.

Присъствал съм на откриването на завода за полупроводници, в които бяха приложени мои разработки.

Върхът на кариерата ми беше космическият експеримент “Климент – Рубидий“ , за получаване на суперйонни кристали от сребърно-рубидиев йодид, върху които създадохме микроминиатюризирани акумулатори с размер на цигарена кутия, които заместват по параметри такива с дължина над 1 м. Но заради нуждата от големи капиталовложения, разработката не бе реализирана на практика.

Дори и в чужбина?

Аз съм излизал многократно в чужбина, но не съм излизал за дълго време, а исках, но не можах да отида в Силициевата долина, където е Мекката на полупроводниковите технологии.

Аз следвах и завърших висшето си образование в Ленинград ( сега Петербург) и там защитих кандидатска дисертация. Там много получих за моето научно израстване. Когато в България още нямаше такава наука [за полупроводниците], аз вече работех с руските колеги. Но това едва ли ми е попречило да отида в Силициевата долина, не са ме спирали, но не са ме и пускали. В нашата област не всичко се показва, отново се пази технологична тайна. Защото е приоритет на развитието.

Предстои Нобеловата седмица. Кой е Вашият фаворит за наградата за физика?

Засега нямам фаворит за Нобеловата награда. Един от хората, които номинирах, бе избран и то точно по хетероструктури. Но това е конфиденциално.


Резюме на последната книга на акад. проф. дфзн Ангел Попов "Functional semiconductor structures with heterostructural transition region"

Монографичната книга „Functional semiconductor structures with heterostructural transition region” на академик Ангел Попов разглежда получаване, изследване и приложения на А3В5 твърди разтвори с хетероструктури или възможни комбинации с други полупроводникови материали. Като основа са използвани оригинални публикации на автора с негови сътрудници, представящи нови физични модели с участието на точкови структурни дефекти и формиране на електрически активни клъстери и комплекси. Всички разглеждани структури са получавани с помощта на епитаксиални технологии от газова или течна матерински фази върху подложки от бинарни А3В5 съединения. Различието между решетъчните параметри на полупроводниковата подложка и активния епитаксиален слой се компенсира чрез едновременното израстване на преходна област с градиентен химичен състав между тях. На практика в квантовомеханично отношение тя е единна система от стъпаловидни хетеропреходи, които имат собствена зонна структура, разположена между зонните структури на подложката и крайния активен епитаксиален слой. При конструиране на активен полупроводников прибор върху този слой преходната област освен контактна и компенсираща роли има и функционални функции като ограничителни квантови бариери за токовите носители. Тези активни квантови бариери съществуват и в случаите, когато няма разлика между решетъчните параметри на подложката и крайния слой. Тогава не възникват компенсиращи дислокации на несъответствие, но поради различие на еластичните параметри се генерират механични напрежения, които създават интегрална напрегната структура. Най-често полупроводниковите хетероструктури изпълняват комбинирани функции, най-важната от които е квантовомеханичната в съчетание със структурно-компенсираща, а втората е възможност за конструиране на нови класове прибори от полупроводникови материали, върху които е невъзможно формирането на р-n преходи. В това се крие голямата практическа полза от комплексните изследвания, проведени в настоящия труд в светлината на бързоразвиващите се нанотехнологии и получаване на наноматериали.


Няма коментари към тази новина !

 
Още от : Новини

Всички текстове и изображения публикувани в OffNews.bg са собственост на "Офф Медия" АД и са под закрила на "Закона за авторското право и сродните им права". Използването и публикуването на част или цялото съдържание на сайта без разрешение на "Офф Медия" АД е забранено.