Академик Попов: Материалът на 21-ви век е А3В5

Резюме на последната книга на акад. проф. дфзн Ангел Попов "Functional semiconductor structures with heterostructural transition region"

_{Монографичната книга „Functional semiconductor structures with heterostructural transition region” на академик Ангел Попов разглежда получаване, изследване и приложения на А³В⁵ твърди разтвори с хетероструктури или възможни комбинации с други полупроводникови материали. Като основа са използвани оригинални публикации на автора с негови сътрудници, представящи нови физични модели с участието на точкови структурни дефекти и формиране на електрически активни клъстери и комплекси. Всички разглеждани структури са получавани с помощта на епитаксиални технологии от газова или течна матерински фази върху подложки от бинарни А³В⁵ съединения. Различието между решетъчните параметри на полупроводниковата подложка и активния епитаксиален слой се компенсира чрез едновременното израстване на преходна област с градиентен химичен състав между тях. На практика в квантовомеханично отношение тя е единна система от стъпаловидни хетеропреходи, които имат собствена зонна структура, разположена между зонните структури на подложката и крайния активен епитаксиален слой. При конструиране на активен полупроводников прибор върху този слой преходната област освен контактна и компенсираща роли има и функционални функции като ограничителни квантови бариери за токовите носители. Тези активни квантови бариери съществуват и в случаите, когато няма разлика между решетъчните параметри на подложката и крайния слой. Тогава не възникват компенсиращи дислокации на несъответствие, но поради различие на еластичните параметри се генерират механични напрежения, които създават интегрална напрегната структура. Най-често полупроводниковите хетероструктури изпълняват комбинирани функции, най-важната от които е квантовомеханичната в съчетание със структурно-компенсираща, а втората е възможност за конструиране на нови класове прибори от полупроводникови материали, върху които е невъзможно формирането на р-n преходи. В това се крие голямата практическа полза от комплексните изследвания, проведени в настоящия труд в светлината на бързоразвиващите се нанотехнологии и получаване на наноматериали.}

Още по темата

27/09/2017

Физика

Акад. Ангел Попов - българинът с пионерни изследвания в областта на полупроводниците